[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 201980073880.6 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112997235B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;岛行德;黑崎大辅;中田昌孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09F9/00 | 分类号： | G09F9/00;G02F1/1345;G02F1/1368;G09F9/30;H10K59/131;H01L29/786;H05B33/02;H05B33/06;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980073880.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
