[发明专利]用于感测介质的阻抗变化的半导体装置在审
| 申请号： | 201980068105.1 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112868107A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 埃尼斯·通杰尔;维卡斯·古普塔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/18;G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所描述实例包含一种传感器装置，其具有定位在半导体衬底上方的第一导体层(110)的中央垫上的至少一个导电细长第一柱(140)，所述第一柱(140)在正交于所述第一导体层(110)的表面的平面的第一方向上延伸。导电细长第二柱(150)以正交定向定位在所述半导体衬底上方的第二导体层(120)上，所述导电细长第二柱(150)处在与所述第一导体层(110)中的通孔开口重合的位置处。所述第二导体层(120)平行于所述第一导体层(110)并通过至少绝缘体层(130)与所述第一导体层(110)间隔，所述导电细长第二柱(150)在所述第一方向上延伸通过所述通孔开口中的相应一者。所述至少一个导电细长第一柱(140)通过间隙与环绕导电细长第二柱(150)间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 介质 阻抗 变化 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
