[发明专利]用于膜沉积和表面处理的连续等离子体在审
| 申请号： | 201980067220.7 | 申请日： | 2019-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN112868087A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 阿鲁尔·N·达斯;洪图;郭长鹤;李明 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/455;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了设备和方法，其用于：使反应物处理气体流入容纳衬底的处理室中；在所述反应物处理气体的流动期间在所述处理室中于第一功率电平下产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积在所述衬底上沉积材料层；在停止使所述反应物处理气体流入所述处理室时维持所述等离子体，从而在不熄灭所述等离子体的情况下停止沉积；将所述等离子体调整至第二功率电平；使惰性处理气体流入所述处理室中，从而在所述等离子体处于所述第二功率电平时将所述材料层改性；以及在进行所述改性之后将所述等离子体熄灭。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 表面 处理 连续 等离子体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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