[发明专利]从熔体中通过CZ法提拉半导体材料单晶的装置以及使用该装置的方法在审
| 申请号： | 201980067068.2 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112888812A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | A·莫尔恰诺夫 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/26;C30B15/14;C30B29/06;C30B29/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过CZ法从熔体中提拉半导体材料单晶的装置，所述装置包括用于容纳熔体的坩埚；布置在坩埚周围的电阻加热器；用于观察熔体和生长中的单晶之间的相界的相机系统，其中该相机系统具有光轴；以及截头圆锥形的隔热罩，在其下端区域具有变窄的直径，且其被布置在坩埚的上方并围绕生长中的单晶，其特征在于：用于捕获颗粒的环形元件，其从隔热罩的内侧面向内突出，且在其内端具有朝向上方的捕集器边缘，其中相机系统的光轴在捕集器边缘和生长中的单晶之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 熔体中 通过 cz 法提拉 半导体材料 装置 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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