[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201980066154.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112805627A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 拜尔拉克·摩艾斯特;R·梅杰林;T·申克拉斯;N·J·M·范德纽维拉尔;L·J·A·凡鲍克霍文 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种预测在光刻设备中将在表膜的运动期间发生的表膜的偏转的方法，该方法包括：接收与表膜的性质有关的参数，以及接收与表膜的预期运动有关的参数。将该参数应用于预测根据这些参数而变化的表膜的偏转的模型。该模型包括涉及表膜的偏转的不同分量的多个子模型。该模型的输出可以用于预测和减少与表膜的预期偏转相关联的光刻误差。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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