[发明专利]多路复用的基于高TCR的安瓿加热器在审
| 申请号： | 201980062821.9 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112753097A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 拉梅什·钱德拉塞卡拉 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于加热衬底处理系统的部件的系统包含控制器和多个加热器，所述多个加热器被设置于沿流体流动路径的多个位置处，所述流体流动路径从流体源至所述衬底处理系统中的目的地。所述控制器被配置成：将所述多个加热器分组为多个加热器群组。每个加热器群组包含所述多个加热器中的至少一者。所述控制器还被配置成：确定待在所述多个加热器群组之间维持的温度梯度。所述控制器还被配置成：从所述多个加热器群组中选择加热器群组；并且控制供应至所选择的所述加热器群组的功率，以在所述多个加热器群组之间维持所述温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 多路复用 基于 tcr 安瓿 加热器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
