[发明专利]磁阻叠堆器件的制造方法在审
| 申请号： | 201980060090.4 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112703613A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孙吉军 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01F10/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻器件的制造，该磁阻器件包含在导电区域(15)上的至少一个晶种区域(20、25)上的磁性固定的区域(40)，磁阻器件的制造包括形成晶种区域(20'、21)，通过将晶种区域的表面暴露于诸如氧气的气体对晶种区域进行处理，并且任选地在其上形成第二晶种区域(22)。或者，可以在晶种区域(25)的(溅射)沉积过程中添加诸如氧气或氮气的气体，或者诸如硼或碳的一种或多种原子元素。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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