[发明专利]制造用于混合集成的先进衬底的方法在审
| 申请号： | 201980059819.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN113039635A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·施瓦岑贝格 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王万影;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所述方法包括以下步骤：‑提供受体衬底(20)和供体衬底(10)，该供体衬底(10)依次包括：承载衬底(11)、能够相对于有源层(13)选择性地蚀刻的牺牲层(12)和被置于有源层(13)上的硅氧化物层(14)；‑在氧化物层(14)中形成空腔，以便形成具有第一厚度的第一部分(14a)和具有大于该第一厚度的第二厚度的第二部分(14b)；‑用多晶硅(40)填充该空腔，以便形成连续且基本平坦的表面(41)；‑在表面(41)上组装受体衬底(20)和供体衬底(10)；‑移除承载衬底(11)同时保留有源层(13)和牺牲层(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 混合 集成 先进 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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