[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980059059.9 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112689902A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宫田征典;米田秀司;药师川裕贵;妹尾贤 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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