[发明专利]具有用于发射或检测光的结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201980058255.4 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112655098A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 马齐德·孟希;黑尔格·韦曼;B-O·菲姆兰 | 申请（专利权）人： | 科莱约纳诺公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/42;H01L33/44;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109;H01S5/343;H01S5/183;H01S5/042;H01L33/08;H01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，例如，用于发射或吸收优选地在深紫外线(DUV)范围内的光的半导体器件。所述器件例如谐振腔发光二极管(RCLED)或激光二极管由以下部件形成：衬底层(302)，其优选地包括分布式布拉格反射器(DBR)；石墨层(304)；以及在使用或不使用掩模层(306)的情况下在石墨层上生长的至少一个半导体结构(310)，优选线或角锥。所述半导体结构由至少一个III‑V族半导体n型掺杂区(316)和六方氮化硼(hBN)区(312)构成，所述六方氮化硼区优选地为p型掺杂hBN。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 发射 检测 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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