[发明专利]具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管在审
| 申请号： | 201980056498.4 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112771664A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | F·特朗;母千里;H·蒋;Z·莫克提 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/00;H01L29/06;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 於菪珉 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 结构 射频 晶体管 放大器 其它 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980056498.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
