[发明专利]RF离子阱离子加载方法在审
| 申请号： | 201980055767.5 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112640036A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | M·古纳 | 申请（专利权）人： | DH科技发展私人贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在质谱仪中处理离子的方法包括：将一种或多种前驱物离子引入碰撞室中，以使所述离子的至少一部分碎裂，其中，碰撞室被配置为约束具有大于所选定阈值的m/z比的离子(即，高m/z离子)。离子被从碰撞室释放并被引入下游分析仪离子阱中，以径向约束高m/z离子。碰撞室和分析仪离子阱被配置为约束具有低于所选定阈值的m/z比的离子(即，低m/z离子)。离子被引入碰撞室中并经历碎裂。碎片离子被从碰撞室释放并被引入分析仪离子阱中，因此为分析仪离子阱加载高m/z离子和低m/z离子二者。离子被从分析仪离子阱释放并由检测器进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | rf 离子 加载 方法 | ||
【主权项】：
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