[发明专利]具有固有的自修复性质的多功能场效应晶体管在审
| 申请号： | 201980054752.7 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112585454A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 霍萨姆·海克;穆罕默德·哈提卜 | 申请（专利权）人： | 技术研究及发展基金有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 以色*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种自修复场效应晶体管(FET)器件，其包括：自修复基底和自修复介电层，所述基底和所述层包含含有二硫化物的聚(脲‑氨基甲酸酯)(PUU)聚合物，其中介电层具有小于约10μm的厚度；栅电极、至少一个源电极和至少一个漏电极，所述电极包括导电的长形纳米结构；以及至少一个通道，所述至少一个通道包括半导电的长形纳米结构。还提供了一种用于制造FET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 固有 修复 性质 多功能 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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