[发明专利]高阶谐波产生辐射源在审

专利信息
申请号: 201980054729.8 申请日: 2019-07-10
公开(公告)号: CN112586089A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: P·W·斯摩奥伦堡;G·J·H·布鲁斯阿德;D·欧德威尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 闫红
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及方法和相应设备,其能够操作为引起驱动辐射束与介质之间的相互作用以通过高阶谐波产生来产生发射辐射,所述装置包括:相互作用区,所述相互作用区被定位在相互作用平面且被配置成接收所述介质;束阻挡件,所述束阻挡件在所述相互作用平面的上游被定位在束阻挡平面处且被配置成部分地阻挡所述驱动辐射束;束成形器,所述束成形器在所述束阻挡平面的上游被定位在物平面处且被配置成控制所述驱动辐射束的空间分布;以及至少一个透镜,所述至少一个透镜被定位在所述相互作用平面的上游和所述束阻挡平面的下游,其中所述透镜被定位成使得所述驱动辐射束的所述空间分布的图像形成在所述相互作用平面处。
搜索关键词: 谐波 产生 辐射源
【主权项】:
暂无信息
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