[发明专利]编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201980054482.X | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112585680B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | Y·卡其夫;A·柯多夫;N·多 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有存储器单元和控制电路的存储器设备。存储器单元包括形成在半导体衬底中的源极区和漏极区，其中沟道区在源极区和漏极区之间延伸。浮栅设置在沟道区的第一部分上方，以用于控制其电导率。选择栅设置在沟道区的第二部分上方，以用于控制其电导率。控制栅设置在浮栅上方。擦除栅设置在源极区上方并且与浮栅相邻。控制电路被配置为通过将负电压施加到擦除栅以使得电子从擦除栅隧穿到浮栅来执行编程操作，以及通过将正电压施加到擦除栅以使得电子从浮栅隧穿到擦除栅来执行擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 具有 擦除 分裂 闪存 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术股份有限公司，未经硅存储技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980054482.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
