[发明专利]提高EUV光刻胶及硬掩模选择性的图案化方案在审
| 申请号： | 201980045846.8 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112424693A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 南希·冯;志一·郎;和勇·大卫·黄 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/46;H01L21/027;H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述用于极紫外(EUV)光刻的方法及膜堆叠。所述膜堆叠包括具有硬掩模的基板、底层、中间层及光刻胶。所述光刻胶的蚀刻对于所述中间层有高度选择性，且所述中间层的改质容许相对于所述底层的高选择性蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 euv 光刻 硬掩模 选择性 图案 方案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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