[发明专利]用于3D NAND的氧化物/氮化物(ON)堆叠覆盖改良在审
| 申请号： | 201980045611.9 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112771645A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林永景;T-J·龚;M·尾形;Y·周;韩新海;D·帕德希;J·C·罗查;A·K·班塞尔;M·斯利尼瓦萨恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L27/11524;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的实施例涉及制造具有最小化的面内失真(IPD)和平板印刷覆盖误差的氧化物/氮化物(ON)层堆叠。形成层堆叠ON层的方法包括使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动。对称地施加RF功率以形成SiO2的第一材料层。使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动。对称地施加第二RF功率以形成Si3N4的第二材料层。重复以下步骤直到第一材料层和第二材料层的期望数量构成层堆叠：使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动；对称地施加第一RF功率；使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动；以及对称地施加第二RF功率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nand 氧化物 氮化物 on 堆叠 覆盖 改良 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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