[发明专利]改善双重图案化工艺的方位关键尺寸不均匀性在审
| 申请号： | 201980043124.9 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112313787A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;弗兰克·洛伦·帕斯夸里;拉维·库马尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于调整处理室中的喷头的位置的方法包括：将包括多个心轴的衬底设置在所述处理室中的衬底支撑件上；并且相对于所述衬底支撑件来调整所述喷头的位置。调整所述喷头的所述位置的操作包括基于指示所述喷头的位置和与蚀刻所述衬底相关的方位不均匀性之间的相关性的数据将所述喷头调整到倾斜位置。所述方法还包括：在所述喷头处于基于所述数据而调整到的所述倾斜位置的情况下，执行修整步骤以蚀刻所述多个心轴。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 双重 图案 化工 方位 关键 尺寸 不均匀 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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