[发明专利]具有改善的读取性能的分裂栅闪存单元在审
| 申请号： | 201980041277.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112292729A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | S·达里亚纳尼;M·G·马丁;G·费斯特斯 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开的实施方案提供了用于改善分裂栅闪存单元中的读取窗的系统和方法，例如，通过在单元读取操作期间用非零(正或负)电压偏压控制栅端子来改善或控制该单元的擦除状态读取性能或编程状态读取性能。操作分裂栅闪存单元的方法可以包括在该单元中执行编程操作、执行擦除操作和执行读取操作，其中每个读取操作包括向字线施加第一非零电压，向位线施加第二非零电压，以及向控制栅施加第三非零电压V |
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| 搜索关键词： | 具有 改善 读取 性能 分裂 闪存 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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