[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201980034585.X | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN112166504A | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 籾内雄太;高冈裕二 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G03B17/02;H04N5/225;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 根据本发明,重新布线区域(22)设置在摄像元件(20)的正面(像素形成表面)FA上的除像素区域(21)以外的区域中。模制部分(30)形成在除正面FA以外的摄像元件(20)的周围。连接外部端子和设置在重新布线区域(22)中的焊盘(23)的重新布线层(41b)、(42b)、和(43b)经由绝缘层(41a)、(42a)和(43a)形成在摄像元件(20)和模制部分(30)的像素形成表面侧。因此,即使减小焊盘之间的间隔,也能连接到基板,摄像装置(10)的安装表面也位于像素形成表面侧,并且可以减小尺寸和高度。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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