[发明专利]包括钙钛矿发光二极管的像素布置在审
| 申请号： | 201980033681.2 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112136216A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | P·莱弗莫尔 | 申请（专利权）人： | 佩罗莱德有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 英国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于显示器的像素布置。所述像素布置包括多个子像素。至少一个子像素包括钙钛矿发光二极管。在一个实施例中，第一子像素被配置成发射第一颜色的光并且包含钙钛矿发光二极管。第二子像素被配置成发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光，并且第三子像素被配置成发射与所述第一颜色和所述第二颜色不同的第三颜色的光。所述第二子像素包括钙钛矿发光二极管、有机发光二极管或量子点发光二极管。所述第三子像素包括钙钛矿发光二极管、有机发光二极管或量子点发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 钙钛矿 发光二极管 像素 布置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
