[发明专利]一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法在审
| 申请号： | 201980033109.6 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112513343A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 徐军;赵衡煜;徐晓东;李东振;王东海 | 申请（专利权）人： | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/16;C30B29/22 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法，包括以下步骤：原料堆积：在冷水坩埚底部放置籽晶；在冷水坩埚中堆积圆球状原料，使冷水坩埚中形成原料堆；将引燃物置于原料堆中心；加热原料：利用感应线圈加热引燃物，从而加热引燃物周围原料，形成熔体；熔体在感应线圈的作用下持续发热，熔体体积进一步扩大直至原料全部形成熔体；晶体生长：向熔体中投入圆球状原料，保持高频场的频率恒定，控制高频场的功率，使晶体向上生长。该方法通过不断冷却坩埚使接触坩埚的原料形成壳层，巧妙的将熔体与坩埚隔离开来，避免了高温熔体对坩埚的腐蚀，可用于熔点大于2400℃的稀土离子倍半氧化物的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 离子 氧化物 晶体 坩埚 生长 方法 | ||
【主权项】：
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