[发明专利]半导体装置及电容值测量方法在审
| 申请号： | 201980031609.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112105938A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 森茂贵 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R27/26;H01L21/66;H01L21/822;H01L27/04;H03K3/03;H03K3/354 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：环形振荡器，其包括多个栅极电路和第一负载电路，所述多个栅极电路布置在环路上，并且包括第一栅极电路，所述第一负载电路耦接到所述第一栅极电路的输出端子，并且被配置为基于第一控制信号被设置为使能或禁用；和控制信号生成电路，被配置为产生第一控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电容 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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