[发明专利]晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法

摘要

本发明揭示一种晶体管，其包括在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底的半导体材料。所述杆的所述半导体材料包括上源极/漏极区域及在其下方的沟道区域。所述晶体管包括(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：所述杆的所述半导体材料包括在所述沟道区域下方的下源极/漏极区域，及(b)：所述基底的所述半导体材料包括下源极/漏极区域。栅极可操作地横向邻近所述杆的所述沟道区域。揭示其它实施例，其包含个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列。揭示方法。