[发明专利]自偏置理想二极管电路在审
| 申请号: | 201980029884.4 | 申请日: | 2019-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN112075024A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | J·L·希斯;T·W·巴塞罗 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号: | H03K17/30 | 分类号: | H03K17/30 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 郭万方 |
| 地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 描述了一种使用NMOS晶体管作为低损耗理想二极管的理想二极管电路。晶体管的控制电路以阳极电压为参考,而不是以地为参考,因此即使输入电压非常高,控制电路系统也可以是以地为参考的低电压电路系统。以阳极电压为参考,电容器被箝位在约10‑20V。该箝位电压为差分放大器供电,以检测阳极电压是否大于阴极电压。在理想二极管的正常工作期间,通过控制耦合在阴极和电容器之间的第二晶体管的导电性,电容器被充电到箝位电压,使得电路能够在宽范围的频率和电压下使用。施加到差分放大器的所有电压等于或小于该箝位电压。 | ||
| 搜索关键词: | 偏置 理想 二极管 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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