[发明专利]器件与方法在审
| 申请号： | 201980027918.6 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112106205A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 宋爱民;张嘉炜;约书亚·威尔逊 | 申请（专利权）人： | 曼彻斯特大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 褚庆森 |
| 地址： | 英国曼彻斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体管制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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