[发明专利]形成成核抑制涂层的材料和并入其的装置在审

专利信息
申请号: 201980022616.X 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN112135808A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: Y-L·常;Q·王;S·N·格宁;M·海兰德;J·邱;Z·王;B·H·莱萨尔 申请(专利权)人: OTI照明公司
主分类号: C07C22/08 分类号: C07C22/08;C07C15/28;C07C25/22;C07C43/205;C09B1/00;H01L33/44;H01L51/54
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 魏延玲
地址: 加拿大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 光电装置包括衬底;设置在衬底上的第一电极;设置在第一电极上的半导体层;设置在半导体层上的第二电极,第二电极具有第一部分和第二部分;设置在第二电极的第一部分上的成核抑制涂层;以及设置在第二电极的第二部分上的导电涂层,其中成核抑制涂层是式(I)化合物
搜索关键词: 形成 成核 抑制 涂层 材料 并入 装置
【主权项】:
暂无信息
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