[发明专利]将压电层转移至载体衬底上的工艺在审
| 申请号： | 201980021982.3 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111919290A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | D·贝拉什米;T·巴尔热 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H03H3/02;H01L41/313 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种将压电层(3)转移至载体衬底(6)上的工艺，所述工艺包括：‑提供包括异质结构(4)的供体衬底(40)，所述异质结构(4)包括结合至操作衬底(2)的压电衬底(3)，和位于压电衬底(3)和操作衬底(2)之间界面处的经聚合的粘合剂层(10)，‑在压电衬底(3)中形成弱化区域(7)，从而界定待转移的压电层(31)，‑提供载体衬底(6)，‑在载体衬底(6)和/或压电衬底(3)的主面上形成介电层(8)，‑将供体衬底(40)结合至载体衬底(6)，所述介电层(8)位于结合界面处，‑在低于或等于300℃的温度下，沿弱化区域(7)分割并分离供体衬底(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 转移 载体 衬底 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
