[发明专利]基于可重复使用子结构的纳米线半导体结构的测量模型

摘要

本文中呈现用于基于可重复使用参数模型而产生基于纳米线的半导体结构的测量模型的方法及系统。采用这些模型的计量系统经配置以测量与纳米线半导体制作过程相关联的结构及材料特性(例如，结构及膜的材料组成、尺寸特性等)。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型实现基本上较简单、较不易于出错且较准确的测量模型产生。因此，尤其在将复杂的基于纳米线的结构建模时，实现有用测量结果的时间显著减少。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型对于针对光学计量及x射线计量两者产生测量模型是有用的，所述x射线计量包含软x射线计量及硬x射线计量。