[发明专利]利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块以及点状蚀刻模块的蚀刻轮廓的控制方法在审
| 申请号： | 201980016380.9 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111801784A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 石东篡;卢泰协;郑熔镐;崔镕燮;李康逸;柳承烈;章守旭 | 申请（专利权）人： | 韩国基础科学支援研究院 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 刘晔;王刚 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块。利用所述环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块，包括：板状的电介质；圆形电极，与所述电介质的上面接触配置；环形电极，与所述电介质的下面接触配置，并提供用于容纳气体的气体容纳空间；以及供电部，用于向所述圆形电极和环形电极之间施加高电压，施加高电压而开始放电时，从在所述环形电极的内侧面和所述电介质的下面之间向所述环形电极的中心方向展开的等离子向待处理基板的方向照射丝状等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 环形 放电 等离子 装置 蚀刻 模块 以及 轮廓 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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