[发明专利]互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的集成声学滤波器在审
| 申请号： | 201980015746.0 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111801889A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;S·A·法内利;楚云海 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/007 | 分类号： | H03H3/007;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/46;H03H9/54;B81B7/00;B81C1/00;H03H3/08;H03H1/00;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 闫昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种射频前端RFFE装置，包括管芯(302)，管芯具有在有源装置(310)上的前侧电介质层(304)。有源装置在第一衬底(320)上。RFFE装置还包括微机电系统MEMS装置(370、470)。MEMS装置在与有源装置不同的层处集成在管芯上。MEMS装置包括由管芯的前侧电介质层中的腔构成的帽层(380)。前侧电介质层中的腔在第一衬底和第二衬底(352)之间。帽耦合到前侧电介质层。MEMS装置的电极可以是后端制程BEOL互连(330)，该MEMS装置可以是声学滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 管芯 集成 声学 滤波器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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