[发明专利]金属碳化物烧结体以及具备该金属碳化物烧结体的碳化硅半导体制造装置用耐热部件在审
| 申请号： | 201980013179.5 | 申请日： | 2019-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN111727180A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 梶野仁;今浦祥治 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;H01L21/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 就熔点非常高的金属的碳化物烧结体来说，本申请提供就算是不进行热压、HIP等在高压下的烧结也能够制造的相对密度高并且机械强度优异的金属碳化物烧结体。本申请涉及一种金属碳化物烧结体，其是选自周期表第四族和第五族元素中的至少一种金属的碳化物烧结体，其含有0.1wtppm～10000wtppm的Si元素。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 碳化物 烧结 以及 具备 碳化硅 半导体 制造 装置 耐热 部件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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