[发明专利]通过循环沉积工艺在衬底上形成含过渡金属的膜的方法、向反应腔室供给过渡金属卤化物化合物的方法以及相关的气相沉积装置在审

专利信息
申请号: 201980011788.7 申请日: 2019-02-11
公开(公告)号: CN111684105A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: T.哈坦帕;K.韦尔南;M.里塔拉;M.莱斯克拉 申请(专利权)人: ASMIP私人控股有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L21/02;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上形成含过渡金属的膜的方法。所述方法可包括:使衬底与第一气相反应物接触,所述第一气相反应物包含过渡金属卤化物化合物,所述过渡金属卤化物化合物包含二齿含氮加合物配体;以及使衬底与第二气相反应物接触。公开了一种向反应腔室供给包含二齿含氮配体的过渡金属卤化物化合物的方法及相关的气相沉积装置。
搜索关键词: 通过 循环 沉积 工艺 衬底 形成 过渡 金属 方法 反应 供给 卤化物 化合物 以及 相关 装置
【主权项】:
暂无信息
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