[发明专利]具有嵌入的多孔电介质的电子产品、相关的半导体产品及其制造方法在审
| 申请号： | 201980009874.4 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111670495A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希;卢多维克·富尔诺 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;G02B6/12;G02B6/13;H01L23/522;H01L29/786;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高岩;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括绝缘体上硅衬底的电子产品中，阳极氧化物或阳极氢氧化物的多孔层形成在绝缘体上硅衬底的硅层之上。形成在多孔层之上的金属层提供至少一条电传输线。电信号在至少一条电传输线中的速度可以通过多孔层的孔隙率的适当配置来控制。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入 多孔 电介质 电子产品 相关 半导体 产品 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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