[发明专利]具有用于场截止和反向传导的三维背侧结构的IGBT器件有效
| 申请号： | 201980008537.3 | 申请日： | 2019-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111602250B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 艾鲍尔半导体 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种垂直IGBT器件。垂直IGBT器件包括具有第一导电型的衬底。在衬底的顶表面上形成第一导电型的漂移区。衬底的底表面被图案化以具有台面和凹槽的阵列。台面和凹槽以交替的方式形成，使得每个台面被包括凹槽表面的凹槽彼此隔开。在凹槽表面中，第一导电型的顶部缓冲区和第二导电型的底部掩埋区形成为在与每个凹槽表面相邻的台面之间横向延伸。每个台面包括第一导电性的上部区和第二导电性的下部区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 截止 反向 传导 三维 结构 igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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