[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980005926.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111492490A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张铭宏;黄敬源;邱汉钦;廖航 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。高电子迁移率晶体管可包含：衬底；设置在所述衬底上的沟道层；设置在所述沟道层上的势垒层；设置在所述势垒层上的半导体栅极；设置在所述半导体栅极上的金属栅极，所述金属栅极具有梯形的剖面形状；以及钝化层，其直接接触所述金属栅极。所述金属栅极的第一表面与所述半导体栅极的第一表面接触，且所述金属栅极的第一表面的边缘位于所述半导体栅极的第一表面的边缘内部。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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