[发明专利]一种通过晶种加入量调控晶面择优生长的高镍三元前驱体的制备方法有效
| 申请号： | 201980003333.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113329975B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 许开华;蒋振康;唐洲;李涛;杜修平;白亮;张华;武志江;蒋世凤 | 申请（专利权）人： | 荆门市格林美新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/52;H01M4/50;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 448124 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过晶种加入量调控晶面择优生长的高镍三元前驱体的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将三元金属溶液加入至含有第一底液的反应釜中进行反应，当粒径达到1.5～3.0μm时，停止加料，获得晶种浆料；2)将三元金属溶液、液碱溶液、氨水溶液同时并流加入至含有第二底液的生长釜中进行反应，当粒径达到6～8μm时，再将晶种浆料加入至反应体系中，并通过调节所述晶种的进料速度来控制粒径为9.0～11.0μm，获得目标物。本发明通过采用连续加入晶种的方法，使得制备得到的三元前驱体材料中的晶面参数001峰低于晶面参数101峰，这样更有利于Li离子的嵌入，从而可以有效的提高采用该材料制备得到的电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 加入 调控 择优 生长 三元 前驱 制备 方法 | ||
【主权项】：
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