[发明专利]静电卡盘加热器有效
| 申请号: | 201980003019.2 | 申请日: | 2019-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN110753995B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
| 发明(设计)人: | 海野丰;渡边玲雄 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;王莉莉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供静电卡盘加热器,是约翰逊‑拉别克型,用于在晶片上形成导电膜。该静电卡盘加热器具备:具有静电电极和电阻发热体的圆板状的陶瓷基体;和安装于陶瓷基体的与晶片载置面相反一侧的面的中空轴。最外周突起组由在晶片载置面中的外径比晶片的直径小的环状区域内沿陶瓷基体的同心圆排列的多个突起构成。圆周槽设于最外周突起组的内侧。贯通孔设置为从中空轴的周壁的下端贯通至晶片载置面中的圆周槽的内侧的区域。能够从中空轴的下端经由贯通孔向由晶片载置面和最外周突起组以及载置于晶片载置面的晶片包围的晶片下方空间供给气体。 | ||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 加热器 | ||
【主权项】:
1.一种静电卡盘加热器,是用于在晶片上形成导电膜的约翰逊-拉别克型静电卡盘加热器,其特征在于,具备:/n圆板状的陶瓷基体,其一个面是用于载置上述晶片的晶片载置面,并具备静电电极和电阻发热体;/n中空轴,其安装于上述陶瓷基体的与上述晶片载置面相反一侧的面;/n最外周突起组,其由多个突起构成,该多个突起在上述晶片载置面中的外径比上述晶片的直径小的环状区域内沿上述陶瓷基体的同心圆排列;/n圆周槽,其设于上述最外周突起组的内侧;以及/n贯通孔,其设置为从上述中空轴的周壁的下端贯通至上述晶片载置面中的上述圆周槽的内侧的区域,并且能够从上述中空轴的下端向由上述晶片载置面和上述最外周突起组以及载置于上述晶片载置面的上述晶片包围的晶片下方空间供给气体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





