[发明专利]具有硅穿孔及封装级可配置性的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201980001899.X | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110870063B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | K·G·杜斯曼;J·E·戴维斯;W·L·博耶 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065;H01L23/498;H01L23/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置组合件，其包含衬底及经耦合到所述衬底的裸片，所述裸片包含：第一接触垫，其经电耦合到所述裸片上包含有源电路元件的第一电路；第一TSV，其将所述第一接触垫电耦合到第一背面接触垫；及第二接触垫，其经电耦合到仅包含无源电路元件的第二电路。所述衬底包含经电耦合到所述第一及第二接触垫的衬底接点。所述组合件可进一步包含第二裸片，其包含：第三接触垫，其经电耦合到包含第二有源电路元件的第三电路；及第四接触垫，其经电耦合到所述第二裸片上仅包含无源电路元件的第四电路。所述衬底接点可经电耦合到所述第三接触垫，但与所述第四接触垫电断接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 封装 配置 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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