[发明专利]具有源极结构的三维存储设备和用于形成其的方法

摘要

提供了用于形成三维(3D)存储设备的结构和方法的实施例。在一示例中，3D存储设备包括存储叠层、多个沟道结构和源极结构。存储叠层在衬底之上并且包括交错的多个导体层和多个绝缘层。源极结构包括多个源极接触部，以及多个源极接触部中的两个邻近源极接触部是通过连接层互相导电地连接的。连接层的一对第一部分在多个源极接触部中的两个邻近源极接触部之上，以及连接层的第二部分在多个源极接触部中的两个邻近源极之间。连接层的该对第一部分的顶表面与连接层的第二部分的顶表面共面。

主权项

1.一种三维(3D)存储设备，包括：/n在衬底之上的存储叠层，所述存储叠层包括交错的多个导体层和多个绝缘层；/n多个沟道结构，其在所述存储叠层中垂直地延伸；以及/n源极结构，其在所述存储叠层中延伸，其中：/n所述源极结构包括多个源极接触部，各源极接触部在各自的绝缘结构中，以及/n所述多个源极接触部中的两个邻近源极接触部通过连接层互相导电地连接，所述连接层的一对第一部分在所述多个源极接触部中的所述两个邻近源极接触部之上，以及所述连接层的第二部分在所述多个源极接触部中的所述两个邻近源极之间，以及所述连接的所述一对第一部分的顶表面与所述连接层的所述第二部分的顶表面共面。/n