[发明专利]用于短红外光谱范围的基于锗的焦平面阵列有效
申请号: | 201980001248.0 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN110268533B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 乌利尔·利维;乌拉罕·巴卡尔;俄梅尔·卡帕奇 | 申请(专利权)人: | 趣眼有限公司 |
主分类号: | H01L31/0745 | 分类号: | H01L31/0745;H01L31/02;H01L31/107;H01L31/06 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;刘志华 |
地址: | 以色列特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种包括金字塔形状的硅(Si)基和锗光电二极管(Ge photodiode)的光检测结构以及制造所述光检测结构的方法。所述硅基具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部,所述锗光电二极管形成于所述硅基的所述金字塔顶部、并且可操作来检测短波红外范围的光。如前所述的光检测结构可以在空间上重复设置,并制成设于硅上的锗光电检测器的焦平面阵列(focal plane array)。 | ||
搜索关键词: | 用于 红外 光谱 范围 基于 平面 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种光检测结构,包括a)金字塔形状的硅基,具有宽的面向入射光的金字塔底部和较窄的金字塔顶部;以及b)锗光电二极管,形成于所述硅基的所述金字塔顶部上,其中所述锗光电二极管可操作来检测短波红外范围(SWIR)的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的