[发明专利]对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法有效
| 申请号： | 201980000912.X | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110337694B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 万维俊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种对NAND闪存器件进行编程的方法，包括：编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；以及所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 nand 闪存 器件 mlc 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定NAND闪存器件的开始编程电压的方法，包括：编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；以及所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。
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