[发明专利]三维存储器件

摘要

本文公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括衬底和存储堆叠层，所述存储堆叠层包括在衬底上方的交错的导电层和电介质层。3D存储器件还包括缝隙结构，所述缝隙结构竖直延伸穿过存储堆叠层并沿着蛇形路径横向延伸，以将存储堆叠层分成第一区域和第二区域。3D存储器件还包括多个第一沟道结构以及多个第二沟道结构，每个第一沟道结构竖直延伸穿过存储堆叠层的第一区域并且包括位于其上端的漏极，每个第二沟道结构竖直延伸穿过存储堆叠层的第二区域并包括位于其上端的源极。3D存储器件还包括竖直设置在衬底与存储堆叠层之间的半导体连接。每个半导体连接在平面图中与缝隙结构交叉，以电连接相应的第一沟道结构和第二沟道结构对。

主权项

1.一种三维(3D)存储器件，包括：衬底；存储堆叠层，包括在所述衬底上方的交错的导电层和电介质层；缝隙结构，竖直延伸穿过所述存储堆叠层并沿着蛇形路径横向延伸，以将所述存储堆叠层分成第一区域和第二区域；多个第一沟道结构，每个第一沟道结构竖直延伸穿过所述存储堆叠层的所述第一区域并且包括位于其上端的漏极；多个第二沟道结构，每个第二沟道结构竖直延伸穿过所述存储堆叠层的所述第二区域并包括位于其上端的源极；以及多个半导体连接，竖直设置在所述衬底与所述存储堆叠层之间，每个半导体连接在平面图中与所述缝隙结构交叉，以电连接相应的第一沟道结构和第二沟道结构对。