[实用新型]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201922466131.X | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211789027U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 肖金平;逯永建;闻永祥;贾利芳 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型一方面公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：位于半导体衬底上的沟道层；位于沟道层上的势垒层，势垒层与沟道层形成异质结；位于势垒上的源极电极和漏极电极；以及位于势垒层上的栅叠层，该栅叠层位于源极电极和漏极电极之间，其中，该栅叠层包括在势垒层上依次堆叠的P型半导体层、绝缘层和栅极金属。由此能有效降低栅极的漏电流，提高阈值电压，拓展栅极的工作电压范围，整体提高了高电子迁移率晶体管的操作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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