[实用新型]一种碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201922404007.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN210926028U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;何钧 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 郭桂林 |
| 地址： | 400700 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底(11)、一碳化硅外延层(12)、一图形化的场板介质层(16b)、一图形化的肖特基接触电极(17b)和一欧姆接触电极层(18)；碳化硅外延层(12)设置于碳化硅衬底(11)的正面；在碳化硅外延层(12)内且沿着碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的离子注入区(15)；碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的场板介质层(16b)，且碳化硅外延层(12)的上表面未图形化的场板介质层(16b)覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极(17b)；图形化的场板介质层(16b)的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极(17b)覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层(18)设置于碳化硅衬底(11)的背面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆伟特森电子科技有限公司，未经重庆伟特森电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201922404007.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于隧道施工监测数据传输的基站
- 下一篇：一种高压脉冲发生器
- 同类专利
- 专利分类
