[实用新型]GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置有效
| 申请号: | 201922354976.X | 申请日: | 2019-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN211471639U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 李万朋;许所成;孔鑫燚;马英俊;许兴;林泉 | 申请(专利权)人: | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 董李欣 |
| 地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置,所述浮渣过滤装置包括装料坩埚和过滤坩埚;所述装料坩埚呈上下开口的筒状;所述过滤坩埚为上大下小的圆台状,包括上过滤板、下过滤板、外壁面以及由上过滤板、下过滤板和外壁面围合而成的内腔;所述内腔中填装有过滤珠;所述上过滤板和下过滤板均开设数通孔,所述通孔的直径小于所述过滤珠的直径;所述装料坩埚的外径与所述过滤坩埚外壁面最上端的外径相等,且所述装料坩埚的下端筒壁与所述过滤坩埚外壁面最上端固定连接。该浮渣过滤装置在过滤坩埚内填装有过滤球,使其形成类似于活性炭的大表面积、多空隙结构,对杂质有极佳的过滤效果。 | ||
| 搜索关键词: | gasb 生长 浮渣 过滤 装置 | ||
【主权项】:
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