[实用新型]GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 201922354976.X 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN211471639U 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 李万朋;许所成;孔鑫燚;马英俊;许兴;林泉 申请(专利权)人: 有研光电新材料有限责任公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B11/00
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 董李欣
地址: 065001 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型涉及GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置,所述浮渣过滤装置包括装料坩埚和过滤坩埚;所述装料坩埚呈上下开口的筒状;所述过滤坩埚为上大下小的圆台状,包括上过滤板、下过滤板、外壁面以及由上过滤板、下过滤板和外壁面围合而成的内腔;所述内腔中填装有过滤珠;所述上过滤板和下过滤板均开设数通孔,所述通孔的直径小于所述过滤珠的直径;所述装料坩埚的外径与所述过滤坩埚外壁面最上端的外径相等,且所述装料坩埚的下端筒壁与所述过滤坩埚外壁面最上端固定连接。该浮渣过滤装置在过滤坩埚内填装有过滤球,使其形成类似于活性炭的大表面积、多空隙结构,对杂质有极佳的过滤效果。
搜索关键词: gasb 生长 浮渣 过滤 装置
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