[实用新型]一种半导体结构有效
申请号: | 201922107979.3 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN210640232U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 庄凌艺 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄;孙宝海 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体结构,该半导体结构包括半导体基板、导电层、凸块以及金属间化合物;导电层设于所述半导体基板上;凸块设于所述导电层上;金属间化合物设于所述凸块上,且所述金属间化合物为凹凸状。本实用新型通过将金属间化合物设计为凹凸状,使其能够阻挡裂痕向四周延伸,可最小化或防止凸块和焊料层之间的裂痕的延伸以及电连接故障,有效提高良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】:
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