[实用新型]一种横向静电感应晶体管有效
| 申请号: | 201921958966.0 | 申请日: | 2019-11-13 | 
| 公开(公告)号: | CN210443562U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 | 
| 发明(设计)人: | 范捷;万立宏;王绍荣 | 申请(专利权)人: | 江苏丽隽功率半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78 | 
| 代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聂启新 | 
| 地址: | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种横向静电感应晶体管,涉及半导体技术领域,该静电感应晶体管的源极和漏极均位于N型硅层的表面,间隔设置的P型栅块与表面的连接P型栅块的P型外栅共同构成栅极,P型栅块之间形成沟道区,该器件区别于传统的纵向的SIT结构,其电流方向为水平方向流动,三个电极均位于芯片的正面,可以便利集成到常规集成电路当中,而且器件的耐压由栅极到漏极之间的距离以及N型硅层浓度决定,理论上耐压不受限,器件性能更优良;而且器件沟道上方最表面区域将呈现P型,不再参与导电,从而规避器件表面不良效应的影响,提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 横向 静电感应 晶体管 | ||
【主权项】:
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