[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201921908940.5 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN210575904U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/544;H01L21/56;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构；包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内具有切割道，切割道内具有测试焊盘、第一测试结构及第二测试结构；第二测试结构位于第一测试结构的下方，第二测试结构与第一测试结构之间的横向间距至少为测试焊盘的宽度；于晶圆上形成保护层，保护层至少覆盖切割道；对保护层进行曝光显影，以使得第一测试结构上方保留的保护层的厚度大于第二测试结构上方保留的保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法将第二测试结构上方的保护层去除减薄，可以减少切割道内保护层的量，在使用锯刀进行晶圆切割时，可以避免保护层沾粘锯刀，从而提高产能并节约制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921908940.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种建筑结构实体多功能检测装置
- 下一篇：一种具有温度监测功能的塑壳断路器
