[实用新型]一种高导通低漏电的肖特基芯片有效
| 申请号： | 201921868925.2 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN210516734U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人： | 商晓 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高导通低漏电的肖特基芯片，属于半导体技术领域。包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），在每一个第二单晶硅区（5）的下方分别设置有第一单晶硅区（3），第二单晶硅区（5）的宽度大于其底部对应的第一单晶硅区（3）的宽度。在本高导通低漏电的肖特基芯片中，设置有两层外延层，并通过设置第一单晶硅区和第二单晶硅区，可以有效阻断反向电流，同时有效增大肖特基界面的面积，降低了正向导通的电阻，因此增大了正向导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高导通低 漏电 肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
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